Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Главная - Электроника - Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом Электроника . Курсовая

  • Тема: Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом
  • Автор: Ляшенко Сергей
  • Тип работы: Курсовая
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 11
  • Год сдачи: 1999
  • ВУЗ, город: ДНУ
  • Цена(руб.): 1500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

1. ЗАДАНИЕ. 1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой подложке. В курсовой работе необходимо выполнить: 1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры. 2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики. 3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки. 4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала. 1.2. Исходные данные: 1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2; 2) тип подожки n; 3) ширина канала Z=5,8 мкм; 4) толщина канала L=1,1 мкм; 5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм; 6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2; 7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2. 1.3. Дополнительно будут использоваться следующие справочные данные: 1) тепловой потенциал; 2) собственная концентрация носителей в кремнии ni=1,5*1010см-3; 3) диэлектрическая проницаемость кремния Еап=1,062*10-12 Ф/см; 4) диэлектрическая проницаемость оксида Еок=3,54*10-13 Ф/см; 5) заряд электрона q=1,6*10-19 Кл; 6) работа выхода электрона для алюминия Фм=4,1 эВ; 7) энергия сродства электрона для кремния Х=4,05 эВ; 8) ширина запрещённой зоны для кремния Еg=1,124 эВ. 1.4. Допущения: 1) металл – идеальный проводник; 2) оксидный слой – идеальный диэлектрик, заряды внутри слоя отсутствуют; 3) в расчёте будем пренебрегать поверхностными явлениями на границах металл-оксид и оксид-полупроводник; 4) полупроводник считается идеальным и однородным. 2. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ. 2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала. Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматривать как два последовательно включённых конденсатора. Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость равна const и равна С0. Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт наличия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров. Общая ёмкость имеет следующую оценку: - при Uз

Содержание

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.



В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.



1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

Литература

1. Л.Рассадо Физическая электроника и микроэлектроника, М. Высшая школа, 1991г.

2. Маллер Д.Б. Элементы интегральных схем.

3. Агарханян O.П. Основы транзисторной электроники.

4. И.П. Степаненко Основы транзисторов и транзисторных схем, М., Энергия, 1973г.

Форма заказа

Напрмер, Экономика

Похожие работы

Название Цена
Антенний пiдсилювач УКХ диапазону. Типовi випробування 1500
Антенний пiдсилювач УКХ диапазону. Типовi випробування 1500
Ідеологія побудови радіоподовжувачив телефонних мереж 1500
Разработка ГИС 1500
Блок электронный 1500
Вычислительные и МП средства в электронных аппаратах. Расчёт 1500
Проектирование электростанции 1500
Основные понятия,параметры и характеристики усилителей 1500
Техническое обслуживание оборудования промышленных установок 1500
Техническое обслуживание электрооборудования 1500

© 2010-2017, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.