Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Главная - Электроника - Расчет основных харак-к усилительных каскадов

Расчет основных харак-к усилительных каскадов Электроника . Курсовая

  • Тема: Расчет основных харак-к усилительных каскадов
  • Автор: Юлия
  • Тип работы: Курсовая
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 34
  • Год сдачи: 2008
  • ВУЗ, город: СПБГМТУ
  • Цена(руб.): 1500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

Введение Электроника широко применяется практически во всех отраслях науки и техники, поэтому знание основ электроники необходимо всем инженерам. Особенно важно представлять возможности современной электроники для решения научных и технических задач в той или иной области. Многие задачи измерения, управления, интенсификации технологических процессов, возникающие в различных областях техники, могут быть успешно решены специалистом, знакомым с основами электроники. В настоящее время в технике повсеместно используются разнообразные усилительные устройства. В данном курсовом проекте производится расчет основных характеристик усилительных каскадов. 1. Техническое задание 1. Рассчитать сквозной коэффициент усиления, т.е. отношение напряжения на нагрузке к напряжению источника сигнала. 2. Определить входное сопротивление. 3. Определить выходное сопротивление. 4. Все конденсаторы имеют такую емкость, что их сопротивлением на частоте сигнала можно пренебречь. Считать, что дифференциальные параметры транзисторов на частоте сигнала равны их низкочастотным значениям 2. Теоретическая часть 2.1 Принцип действия биполярных и униполярных (полевых) транзисторов Транзисторы в зависимости от принципа действия и конструктивных признаков подразделяются на два больших класса: биполярные и униполярные. Биполярный транзистор – это трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Термин «биполярный» подчеркивает использование носителей заряда обоих знаков в работе транзистора. Два перехода делят кристалл на три области – эмиттер, базу и коллектор. Концентрация легирующей примеси в эмиттере значительно выше, чем в базе. В зависимости от типа проводимости областей, составляющих структуру биполярного транзистора, различают транзисторы p-n-p и n-p-n типов. Принцип действия их одинаков, различие заключается в том, что в транзисторе n-p-n основными носителями заряда являются электроны, инжектируемые в базу p-типа, а в транзисторе p-n-p – дырки, инжектируемые в базу n-типа. Условием взаимодействия переходов транзистора является наличие достаточно тонкой базы; толщина слоя базы W должна быть много меньше диффузионной длины L пробега неосновных носителей, инжектируемых в базу (W<

Содержание

Содержание

Введение 2
1. Техническое задание 3
2. Теоретическая часть 4
2.1 Принцип действия биполярных и униполярных (полевых) транзисторов 4
2.2 Вольтамперные характеристики транзисторов 7
2.3 Эквивалентные схемы транзисторов 10
2.4. h-параметры транзисторов 14
2.5 Основные параметры и характеристики усилителей 16
2.5.1 Амплитудно-частотная (АЧХ) и фазочастотная (ФЧХ) характеристики 17
2.5.2 Амплитудная характеристика 17
2.6 Выбор и термостабилизация рабочей точки усилителя. 18
2.7 Расчет усилительных каскадов по переменному току. 20
2.7.1 Область средних частот 20
2.7.2 Область высоких частот. 22
3. Расчетная часть 23
3.1. Расчет 1-го каскада 24
3.2. Расчет 2-го каскада 26
3.3. Расчет требуемых характеристик 28
Заключение 30
Список использованной литературы 31
Приложения
А. Принципиальная схема.32
В. Эквивалентная схема усилителя в области рабочих частот..... 33



Введение


Электроника широко применяется практически во всех отраслях науки и техники, поэтому знание основ электроники необходимо всем инженерам. Особенно важно представлять возможности современной электроники для решения научных и технических задач в той или иной области. Многие задачи измерения, управления, интенсификации технологических процессов, возникающие в различных областях техники, могут быть успешно решены специалистом, знакомым с основами электроники.
В настоящее время в технике повсеместно используются разнообразные усилительные устройства.
В данном курсовом проекте производится расчет основных характеристик усилительных каскадов.


1. Техническое задание


1. Рассчитать сквозной коэффициент усиления, т.е. отношение напряжения на нагрузке к напряжению источника сигнала.
2. Определить входное сопротивление.
3. Определить выходное сопротивление.
4. Все конденсаторы имеют такую емкость, что их сопротивлением на частоте сигнала можно пренебречь. Считать, что дифференциальные параметры транзисторов на частоте сигнала равны их низкочастотным значениям




2. Теоретическая часть
2.1 Принцип действия биполярных и униполярных (полевых) транзисторов
Транзисторы в зависимости от принципа действия и конструктивных признаков подразделяются на два больших класса: биполярные и униполярные. Биполярный транзистор это трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Термин «биполярный» подчеркивает использование носителей заряда обоих знаков в работе транзистора.
Два перехода делят кристалл на три области эмиттер, базу и коллектор. Концентрация легирующей примеси в эмиттере значительно выше, чем в базе. В зависимости от типа проводимости областей, составляющих структуру биполярного транзистора, различают транзисторы p-n-p и n-p-n типов. Принцип действия их одинаков, различие заключается в том, что в транзисторе n-p-n основными носителями заряда являются электроны, инжектируемые в базу p-типа, а в транзисторе p-n-p дырки, инжектируемые в базу n-типа.
Условием взаимодействия переходов транзистора является наличие достаточно тонкой базы; толщина слоя базы W должна быть много меньше диффузионной длины L пробега неосновных носителей, инжектируемых в базу (W

Литература

1. Степаненко, И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем/ И.П.Степаненко. М.: Энергия, 1991.
2. Гусев, В. Г. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов/ Гусев В.Г., Гусев Ю. М. −3-е изд. М.: Высш. шк., 2004.
3. Забродин , Ю.С. Промышленная электроника: учебник для вузов/ Ю.С. Забродин. М.: Высш. шк., 1982.
4. Хоровиц, П., Искусство схемотехники: в 3-х т.; пер. с англ. / Хоровиц П., Хилл У. 4-е изд., перераб. и доп. М.: Мир, 1993.
5. Опадчий, Ю.Ф. Аналоговая и цифровая электроника (Полный курс): учебник для вузов / Ю.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров: под ред. О.П. Глудкина. М.: Горячая линия Телеком, 2000.
6. Миловзоров, О.В. Электроника: учебник для вузов / О.В. Миловзоров, И.Г. Панков.− 2-е изд. − М.: Высш. шк., 2004.
7. Павлов, В.Н., Схемотехника аналоговых электронных устройств: учебник для вузов/ Павлов В.Н., Ногин В.Н. М.: Радио и связь, 1997.
8. Джонс, М.Х. Электроника − практический курс: пер. с англ. Е.В.Воронова и др./М.Х. Джонс. − М.: Постмаркет. −1999

Форма заказа

Напрмер, Экономика

Похожие работы

Название Цена
Разработка методики наиболее часто встречающихся неисправностей источника питания персонального компьютера модели LC-230 ATX с учетом особенностей конструк 1500
HDD. CD-ROM. FDD. 1500
Цифровой секундомер на базе PIC-контроллера. 1000
Аудиосистема автомобиля. 1000
Проектирование усилителей низкой частоты. 1000
Измеритель длительности нажатия клавиши. 900
Внешние запоминающие устройства. 1150
Радиотехнические координаторы как элемент построения РЛС. 1550
Разработка устройства логического управления. 950
Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС 1500

© 2010-2017, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.