Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Заказать

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Заказать

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Заказать

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Заказать

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Заказать

Главная - Электроника - Разработка ГИС

Разработка ГИС Электроника. Курсовая

  • Тема: Разработка ГИС
  • Автор: Ляшенко Сергей
  • Тип работы: Курсовая
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 20
  • Год сдачи: 1999
  • ВУЗ, город: ДНУ
  • Цена(руб.): 1500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

1.ВВЕДЕНИЕ Элементы плёночной технологии. Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок проводящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки. Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допусками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характеристиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях напряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисторов, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стандартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС. В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag. Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, титана, Re и т. д. Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением моноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5. Существует несколько способов получения тонких плёнок: 1. Электрическое осаждение; 2. Химическое осаждение; 3. Осаждение пиролитическим разложением; 4. Оплавление порошка стеклообразного материала; 5. Термовакуумное осаждение плёнок; 6. Катодное и ионно-плазменное распыление. 2. ТЕОРИТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ 2.1. Конструктивно-технологические особенности и основные параметры плёночных резисторов. Плёночные резисторы являются наиболее распространёнными элементами ИМС. Плёночные резисторы в структурном отношении представляют собой узкую полоску резистивной плёнки, снабжённую плёночными контактными площадками с низким сопротивлением. Параметры плёночных резисторов зависят от материала резистивной плёнки, способа получения необходимой конфигурации и других технологических факторов. Наиболее распространённой является конструкция резисторов прямоугольной формы (Рис 2.1), как наиболее простая в конструктивном и технологическом отношении. Рис 2.1 Конструкция прямоугольного тонкоплёночного резистора. 1 – резистивная плёнка; 2 – плёночный проводник; 3 – области контактов. Значение сопротивления плёночного резистора определяют по формуле: R = 0L/S+2Rk (2.1) Для высокоомных резисторов, когда сопротивление областей контактов значительно меньше сопротивления резистивной плёнки: R = L/S = 0L/(b*d) (2.1a) где 0 – удельное объёмное сопротивление резистивного материала; L, b, d – длина, ширина, и толщина резистивной плёнки; Rk –переходное сопротивление областей контактов резистивной и проводящей плёнок; В технологии микроэлектроники для каждого материала отношение 0K=S – величина постоянная. Условно S определяет как удельное поверхностное сопротивление квадратной резистивной плёнки, не зависящей от размеров квадрата и оценивают в Ом/. При этом сопротивление определяют по формуле: R = S1/b = SKФ (2.2) где Кф=1/b – коэффициент формы резистора. Для прямоугольных резисторов максимальная длина по технологическим соображениям ограничена величиной Кф=10. Для реализации резисторов с Кф>10 используют конструкции сложной конфигурации: а) в виде отдельных резистивных полосок; б) типа «меандр». 2.2. Конструктивно-технологические особенности и основные параметры плёночных конденсаторов. В гибридных ИМС применяют тонко- и толстоплёночные конденсаторы с простой прямоугольной и сложной формами. Плёночный конденсатор представляет собой многослойную структуру, нанесённую на диэлектрическую подложку. Для её получения на подложку наносят последовательно три слоя: 1 – проводящий, выполняет роль нижней обкладки; 2 – слой диэлектрика; 3 – проводящий, выполняющий роль верхней обкладки конденсатора. Значение ёмкости плёночного конденсатора определяют по формуле: С = ξ ξ0 S/4πd =0.885 ξ S/d (2.3) где ξ – относительная диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика; S – площадь перекрытия диэлектрика обкладками; d – толщина диэлектрика.

Содержание

Разрабатываемая ИС должна соответствовать общим технологическим требованиям.

Исходные требования:

Максимальная рабочая температура +70С

Минимальная рабочая температура -20С

Время работы ИС 100004

Коэффициент нагрузки резисторов 0.7

Ширина формирующей щели 90 мкм

Минимальная ширина формирующей щели 6 мкм

Погрешность ширины формирующей щели 5%

Рабочая разность потенциалов на С 10 В

Площадь обкладок конденсаторов, не менее 1 мм2

Погрешность задания линейного размера обкладок 5%

Значения номиналов: R1=25 kOm 10%; R2=R3=10 kOm 10%;

R4=58 kOm 1%; C1=500 пФ 20%; С2=750 пФ 20%

Литература

1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983.

2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. М.: Сов. Радио. 1980.

3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985.

4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. М.: Радио и связь, 1989.

5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986.

6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. М.: В.Ш., 1991.

Форма заказа

Заполните, пожалуйста, форму заказа, чтобы менеджер смог оценить вашу работу и сообщил вам цену и сроки. Все ваши контактные данные будут использованы только для связи с вами, и не будут переданы третьим лицам.

Тип работы *
Предмет *
Название *
Дата Сдачи *
Количество Листов*
уточните задание
Ваши Пожелания
Загрузить Файлы

загрузить еще одно дополнение
Страна
Город
Ваше имя *
Эл. Почта *
Телефон *
  

Название Тип Год сдачи Страниц Цена
Блок электронный Курсовая 2000 42 1500
Вычислительные и МП средства в электронных аппаратах. Расчёт Курсовая 1999 8 1500
Проектирование электростанции Курсовая 2004 45 1500
Основные понятия,параметры и характеристики усилителей Курсовая 2007 32 1500
Техническое обслуживание оборудования промышленных установок Курсовая 2008 25 1500
Техническое обслуживание электрооборудования Курсовая 2008 28 1500
Расчёт трансформатора Курсовая 2008 40 1500
Расчёт трансформатора Курсовая 2008 40 1500
Расчёт трансформатора Курсовая 2008 40 1500
Расчёт трансформатора Курсовая 2008 40 1500
курсовые, дипломные, контрольные на заказ скидки на курсовые, дипломные, контрольные на заказ

© 2010-2016, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.