Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Заказать

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Заказать

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Заказать

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Заказать

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Заказать

Главная - Электроника - Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом Электроника. Курсовая

  • Тема: Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом
  • Автор: Ляшенко Сергей
  • Тип работы: Курсовая
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 11
  • Год сдачи: 1999
  • ВУЗ, город: ДНУ
  • Цена(руб.): 1500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

1. ЗАДАНИЕ. 1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой подложке. В курсовой работе необходимо выполнить: 1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры. 2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики. 3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки. 4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала. 1.2. Исходные данные: 1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2; 2) тип подожки n; 3) ширина канала Z=5,8 мкм; 4) толщина канала L=1,1 мкм; 5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм; 6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2; 7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2. 1.3. Дополнительно будут использоваться следующие справочные данные: 1) тепловой потенциал; 2) собственная концентрация носителей в кремнии ni=1,5*1010см-3; 3) диэлектрическая проницаемость кремния Еап=1,062*10-12 Ф/см; 4) диэлектрическая проницаемость оксида Еок=3,54*10-13 Ф/см; 5) заряд электрона q=1,6*10-19 Кл; 6) работа выхода электрона для алюминия Фм=4,1 эВ; 7) энергия сродства электрона для кремния Х=4,05 эВ; 8) ширина запрещённой зоны для кремния Еg=1,124 эВ. 1.4. Допущения: 1) металл – идеальный проводник; 2) оксидный слой – идеальный диэлектрик, заряды внутри слоя отсутствуют; 3) в расчёте будем пренебрегать поверхностными явлениями на границах металл-оксид и оксид-полупроводник; 4) полупроводник считается идеальным и однородным. 2. РАСЧЁТНАЯ ЧАСТЬ. 2.1. Построение вольт-фарадной характеристики канала. Ёмкость между затвором и подложкой МОП-структуры будем рассматривать как два последовательно включённых конденсатора. Один, из которых образуется металлом и границей Si-SiO2, его ёмкость равна const и равна С0. Другой конденсатор образуется в режиме обеднения и инверсии за счёт наличия обеднённой области. Эта ёмкость не линейна и зависит от ряда параметров. Общая ёмкость имеет следующую оценку: - при Uз

Содержание

1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке.



В курсовой работе необходимо выполнить:

1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры.

2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики.

3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки.

4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала.



1.2. Исходные данные:

1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2;

2) тип подожки n;

3) ширина канала Z=5,8 мкм;

4) толщина канала L=1,1 мкм;

5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм;

6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2;

7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2.

Литература

1. Л.Рассадо Физическая электроника и микроэлектроника, М. Высшая школа, 1991г.

2. Маллер Д.Б. Элементы интегральных схем.

3. Агарханян O.П. Основы транзисторной электроники.

4. И.П. Степаненко Основы транзисторов и транзисторных схем, М., Энергия, 1973г.

Форма заказа

Заполните, пожалуйста, форму заказа, чтобы менеджер смог оценить вашу работу и сообщил вам цену и сроки. Все ваши контактные данные будут использованы только для связи с вами, и не будут переданы третьим лицам.

Тип работы *
Предмет *
Название *
Дата Сдачи *
Количество Листов*
уточните задание
Ваши Пожелания
Загрузить Файлы

загрузить еще одно дополнение
Страна
Город
Ваше имя *
Эл. Почта *
Телефон *
  

Название Тип Год сдачи Страниц Цена
Антенний пiдсилювач УКХ диапазону. Типовi випробування Курсовая 2000 21 1500
Антенний пiдсилювач УКХ диапазону. Типовi випробування Курсовая 2000 21 1500
Ідеологія побудови радіоподовжувачив телефонних мереж Курсовая 2000 51 1500
Разработка ГИС Курсовая 1999 20 1500
Блок электронный Курсовая 2000 42 1500
Вычислительные и МП средства в электронных аппаратах. Расчёт Курсовая 1999 8 1500
Проектирование электростанции Курсовая 2004 45 1500
Основные понятия,параметры и характеристики усилителей Курсовая 2007 32 1500
Техническое обслуживание оборудования промышленных установок Курсовая 2008 25 1500
Техническое обслуживание электрооборудования Курсовая 2008 28 1500
курсовые, дипломные, контрольные на заказ скидки на курсовые, дипломные, контрольные на заказ

© 2010-2016, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.