Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Заказать

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Заказать

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Заказать

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Заказать

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Заказать

Главная - Электроника - Устройство и принцип работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия

Устройство и принцип работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия Электроника. Шпаргалка

  • Тема: Устройство и принцип работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия
  • Автор: Вероника
  • Тип работы: Шпаргалка
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 10
  • Год сдачи: 2011
  • ВУЗ, город: СибГУТИ
  • Цена(руб.): 430 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

На рисунке 1.1 приведена структура полевого транзистора с изолированным затвором. Рисунок 1.1 - Разрез структуры МДП-транзистора с индуцированным ка¬налом: 1 — область стока; 2 — металлизация затвора; 3 — подложка; 4 — область исто¬ка; 5 — диэлектрик; 6 — область канала. В чистом или слабо легированном крем¬нии (подложке) диффузией созданы сильно легированные области противоположного по сравнению с подложкой типа проводимости. Это области стока и истока. Металлический электрод затвора изоли¬рован от подложки слоем диэлектрика толщиной 0,15 – 0,3 мкм. Для этой цепи может использоваться любой диэлектрик, обладающий не¬обходимыми электрофизическими параметрами. Но наибольшее прак-тическое применение нашли два типа: диэлектрик на основе окислов кремния и двухслойный диэлектрик на основе окисла кремния и нитрида кремния. При приложении напряжения к структуре металл-диэлек¬трик-полупроводник из-за большой разницы удельных сопротивлений диэлектрика и полупроводника электрическое поле существует только в диэлектрике. Поэтому в соответствии с законом электростатической индукции в полупроводнике вблизи границы раздела образуется поверхностный заряд. На управлении величиной этого заряда поперечным электрическим полем основан принцип действия транзисторов с изолированным затвором. Транзисторы с изолированным затвором делятся на две группы: транзисторы с индуцированным каналом р-типа проводимости и транзисторы со встроенным каналом n-типа проводимости. В основе управления носителями заряда у транзисторов с каналом р-типа лежит явление инверсии. Рассмотрим принцип работы этих при¬боров. При соединении полупроводника n-типа проводимости с диэлек¬триком для образования канала дырочной проводимости необходимо к затвору приложить отрицательное напряжение. Это напряжение, во-первых, компенсирует положительный заряд, сосредоточенный на границе раздела диэлектрик-полупроводник, во-вторых, оттесняет основные носители заряда (электроны) из приповерхностной зоны. Дальнейшее увеличение абсолютной величины отрицательного напря¬жения на затворе приводит к тому, что концентрации ионов примеси будет недостаточно для компенсации электрического поля в ди¬электрике. В результате происходит инверсия типа проводимости поверхностного слоя и образование канала дырочной проводимости. Образовавшийся между стоком и истоком канал работает только в режиме обогащения, так как чем больше напряжение на затворе превышает напряжение инверсии, тем больше проводимость поверх¬ностного слоя. Напряжение на затворе, при котором появляется проводимость канала, называется пороговым. Дальнейшую работу МДП-транзистора с индуциро¬ванным каналом поясняют схемы на рисунке 1.2. Без подачи на¬пряжений на электроды сопротив¬ление сток-исток очень велико и соответствует сопротивлению двух встречно включенных диодов при нулевом смещении (рисунок 1.2,а). При через прово¬дящий слой (рисунок 1.2,б) потечет ток, если приложить напряже¬ние между стоком и истоком. Как и у транзисторов с управляю¬щим p-n переходом, увеличение напряжения сток-исток приве¬дет к перекрытию канала у стока (рисунок 1.2,в) и к насыщению тока канала. Дальнейшее увеличение напряжения приводит к укороче¬нию канала (смещению точки пе¬рекрытия к истоку, рисунок 1.2,г). При этом ток стока остается почти постоянным. Рисунок 1.2 - Схемы, поясняющие принцип работы МДП-транзи¬стора с индуцированным ка¬налом: а — режим равновесия; б — режим инверсии типа проводимости по¬верхностного слоя полупроводника; в — момент перекрытия канала; г — режим насыщения. Четвертый электрод МДП-транзисторов – подложка в боль¬шинстве схем применения соединя¬ется с истоком. Однако иногда подложка используется в качестве затвора, управляющего то¬ком стока, аналогично затвору полевого транзистора с p-n-переходом.

Содержание


Билет №16
1. Устройство и принцип работы МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Схемы включения. Характеристики.
2. Импульсный режим работы БТ. Схема, принцип действия, причины искажения импульсов, основные параметры и характеристики.



Литература

-

Форма заказа

Заполните, пожалуйста, форму заказа, чтобы менеджер смог оценить вашу работу и сообщил вам цену и сроки. Все ваши контактные данные будут использованы только для связи с вами, и не будут переданы третьим лицам.

Тип работы *
Предмет *
Название *
Дата Сдачи *
Количество Листов*
уточните задание
Ваши Пожелания
Загрузить Файлы

загрузить еще одно дополнение
Страна
Город
Ваше имя *
Эл. Почта *
Телефон *
  

курсовые, дипломные, контрольные на заказ скидки на курсовые, дипломные, контрольные на заказ

© 2010-2016, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.