Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Заказать

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Заказать

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Заказать

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Заказать

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Заказать

Главная - Электроника - Физические основы электроники

Физические основы электроники Электроника. Контрольная

  • Тема: Физические основы электроники
  • Автор: Галина
  • Тип работы: Контрольная
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 16
  • Год сдачи: 2011
  • ВУЗ, город: МТУСИ
  • Цена(руб.): 500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

Задача №2 Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = -5 В . Определить: 1) Тип канала (p или n) 2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током. 3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L-L1 , удельной крутизне b1=0,12мА/B^2 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала. 4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L. 5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b = b1 )

Содержание

Задача № 1 По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0,6*10-9 А в идеальном несимметричном p-n-переходе, площадью S=0.1см2 (задан p+- n переход) Определить: 1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход. 2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе. 3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе. 4. Тип и концентрацию основных и неосновных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесенной в область эмиттера. 5. Контактную разность потенциалов φk для двух значений температур: t1 –комнатная, t2 = t1 + ∆t, где ∆t=25 . 6) L — ширину обедненной области или p-n-перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n-переходов. Изобразить заданный p-n-переход. 7) Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а также для всей системы в состоянии равновесия. 8) Приложить к заданному p-n-переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольт-амперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t1 и t2 . Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ. 9) Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а также при прямом и обратном напряжении. 10)Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар и диффузионной Сдиф емкостей 11)Рассчитать R0 - сопротивление постоянному току и rдифф - сопротивление пере-менному току на прямой ветви в точке, соответствующей I пр=10 мА , и обратной ветви в точке, соответствующей U=1В . По результатам расчета сделать вывод о самом важном свойстве p-n-перехода. 12)Начертить малосигнальную электрическую модель заданного p-n-перехода для двух точек (из п.11)

Литература

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 1. Т.Б. Асеева, В.И. Николотов. Физические основы электроники. Методические указания и контрольные работы по дисциплине — М., МТУСИ, 2008. 2. В.И. Николотов. Физические основы электроники. Учебное пособие — М., МТУСИ 2004. 3. Г.И. Епифанов. Физические основы микроэлектроники— М., Советское радио, 1971. 4. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев. Электроника — М., Высшая школа, 1991 5. К.В. Шалимова. Физика полупроводников — М., Энергоатомиздат, 1985.

Форма заказа

Заполните, пожалуйста, форму заказа, чтобы менеджер смог оценить вашу работу и сообщил вам цену и сроки. Все ваши контактные данные будут использованы только для связи с вами, и не будут переданы третьим лицам.

Тип работы *
Предмет *
Название *
Дата Сдачи *
Количество Листов*
уточните задание
Ваши Пожелания
Загрузить Файлы

загрузить еще одно дополнение
Страна
Город
Ваше имя *
Эл. Почта *
Телефон *
  

Название Тип Год сдачи Страниц Цена
Определение ёмкости конденсатора с помощью балластического гальвонометра (ВГИ - СПГГИ) Контрольная 2011 2 500
Лабораторная работа № 3 по электронике (ТУСУР). Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами и постоянным воздействием Контрольная 2011 5 900
Расчет двухтактного бестрансформаторного усилителя мощности Контрольная 2011 6 900
Лабораторная работа № 1 по электронике (ТУСУР). Расчет разветвленной цепи постоянного тока. Параметры задания выбираются по трехзначному индивидуально-му Контрольная 2011 6 900
Лабораторная работа №2 по электронике (ТУСУР). Расчет разветвленной цепи синусоидального тока. Считая, что индуктивная связь отсутствует, записать систему Контрольная 2011 7 900
Контрольная по промышленной электронике, ТюмГНГУ Контрольная 2011 9 990
3 задания по электронике. Входная и выходная вольт-амперные характеристики транзистора типа n-p-n при его включении с общей базой (ОБ). Перечислите и поясн Контрольная 2011 10 1200
Контрольная по электропитающим системам, вариант 2. Как выполняются питающие городские электрические сети? Приведите электрические схемы этих сетей. По дву Контрольная 2011 13 1200
Контрольная по промышленной электронике, ТюмГНГУ. Объяснить различия и начертить условные графические обозначения резисторов, конденсаторов, катушек индукт Контрольная 2011 14 1500
В чем состоит принцип временного разделения каналов? Что такое плезиохронная цифровая иерархия? ак работает симметричный антенный вибратор Контрольная 2011 15 670
курсовые, дипломные, контрольные на заказ скидки на курсовые, дипломные, контрольные на заказ

© 2010-2016, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.