Дипломная работа

от 20 дней
от 9999 рублей

Заказать

Курсовая работа

от 10 дней
от 1999 рублей

Заказать

Реферат

от 3 дней
от 699 рублей

Заказать

Контрольная работа

от 3 дней
от 99 рублей
за задачу

Заказать

Диссертация

Сроки и стоимость индивидуальные

Заказать

Главная - Электроника - Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС

Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС Электроника. Курсовая

  • Тема: Изучение и разработка тестового фрагмента ИМС
  • Автор: Юлия
  • Тип работы: Курсовая
  • Предмет: Электроника
  • Страниц: 29
  • Год сдачи: 2009
  • ВУЗ, город: Москва
  • Цена(руб.): 1500 рублей

Заказать персональную работу

Выдержка

1 Введение Интегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Одной из составных частей данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки. В настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС – сверхбольших интегральных схем – интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять. В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса. Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15-0,18 мкм. Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами: • Надежность - комплексное свойство, которое в зависимости от на¬значения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС. • 2) Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры. В соответствии с вариантом своего задания разработать: 1) Структура и разрез тестового фрагмента ИМС 2) Топологию интегрального элемента Смоп 3)Топологию тестового фрагмента ИМС Задание вариант: 7 № варианта Разрез элемента Номинал резисторов R1 и R3, Ом Номинал резистора R2, кОм Номинал конденсатора С1, пФ Тип транзисторов в схеме 10 КП 700 0,8 9,0 TN50  

Содержание

Оглавление
1 Введение 2
1) Структура и разрез тестового фрагмента ИМС 4
МДП - конденсаторы. .
3)Топологию тестового фрагмента ИМС 6
5 Перечень слоёв ИМС 15
Сборочный топологический чертеж 15
Послойные топологические чертежи 15
6 Вывод 27
7 Литература. 28

Литература

7 Литература.
1 Маслов А.А., Технология и конструкции полупроводниковых приборов, М.:Энергия, 1970. 296 с.: ил.
2 Курносов А.И., Юдин В.В., Технология производства полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем. 5-е изд., перераб. и доп. М.:Наука, - 1986.
3 Технология СБИС: в 2-х книгах, пер с англ., под ред. Зи С. - М.: Мир,
1986. 404 с.: ил.
4 Болтакс Б.И. Диффузия и точечные деффекты в полупроводниках. Л.:
Наука, 1972. 384 с.: ил.
5 Готра З.Ю Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.:
Радио и связь, 1991. 528 с.: ил.
6 Булкин А.Р., Якивчик П.Н. Технология производства полупроводниковых
приборов. М.: Мир, 1986. 320 с.: ил.
7 Готра З.Ю Технология микроэлектронных устройств: Справочник. Львов:Каменяр, 1986. 287 с.: ил.
8 Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем: Учебникдля техникумов. 2-е изд., перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1991.344 с.: ил.
9 Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. Курсовое
проектирование: Учеб. пособие для вузов М.: Высш. шк., 1984. 231 с.,
ил.
10 Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и
микропроцессоров: Учебник для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. М.:
Радио и связь, 1987. 464 с.: ил.
11 Матсон Э.А. Конструкции и технология микросхем. Мн.: Выш. шк.,1985. 207 с., ил.

Форма заказа

Заполните, пожалуйста, форму заказа, чтобы менеджер смог оценить вашу работу и сообщил вам цену и сроки. Все ваши контактные данные будут использованы только для связи с вами, и не будут переданы третьим лицам.

Тип работы *
Предмет *
Название *
Дата Сдачи *
Количество Листов*
уточните задание
Ваши Пожелания
Загрузить Файлы

загрузить еще одно дополнение
Страна
Город
Ваше имя *
Эл. Почта *
Телефон *
  

Название Тип Год сдачи Страниц Цена
Разработать усилитель медленноменяющегося знакопеременного напряжения на базе ОУ и транзисторного каскада Курсовая 2009 22 1500
Схема линии задержки на базе логических элементов Курсовая 2009 11 1500
Разработать схему линии задержки на базе логических элементов Курсовая 2009 14 1500
Влияние старения элементов приемопередающего модуля АФАР на ее диаграмму направленности Курсовая 2009 24 1500
Автоматизация печи КС Курсовая 2009 52 1500
Разработка конструкции печатной платы типового элемента замены ЭВМ с использованием САПР радиоэлектронной аппаратуры. Курсовая 2010 19 1500
Генератор однополярных положительных прямоугольных импульсов на базе ОУ и транзисторного каскада Курсовая 2010 22 1500
Преобразователь напряжение-частота Курсовая 2010 27 1500
Расчет электрической части ТЭЦ 2Х120 Мегаватт Курсовая 2010 26 1500
Обеспечение бесперебойной работы электропотребителей Курсовая 2010 40 1500
курсовые, дипломные, контрольные на заказ скидки на курсовые, дипломные, контрольные на заказ

© 2010-2016, Все права защищены. Принимаем заказы по всей России.